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GaAs和AlGaAs MBE外延生长动力学研究
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中图分类号:

TN304.23

基金项目:

中国科学院资助项目，国家重点基础研究发展计划(973计划)，69776018，19525409，，


STUDY OF THE GaAs, AlGaAs MBE GROWTH DYNAMICS
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    研究了在ＧａＡｓ（００１）衬底上外延生长ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ材料过程中反射高能电子衍射（ＲＨＥＥＤ）的各级条纹及其强度随生长过程的变化。通过对各级条纹强度振荡周期和位相的分析，应用二维成核层状生长模型解释了实验结果：生长表面形貌的周期性变化导致了ＲＨＥＥＤ各级条纹及其强度的周期性变化。

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引用本文

陈益栋,刘兴权. GaAs和AlGaAs MBE外延生长动力学研究[J].红外与毫米波学报,2000,19(1):67~70]. CHEN Yi-Dong, LIU Xing-Quan, LU Wei, QIAO Yi-Min, WANG Xian-Ren. STUDY OF THE GaAs, AlGaAs MBE GROWTH DYNAMICS[J]. J. Infrared Millim. Waves,2000,19(1):67~70.]

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  • 最后修改日期:1999-02-03
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