Hg1—xCdxTe光导探测器的电学参量分析
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TN215

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国家自然科学基金


THE ELECTRICAL PARAMETER ANALYSIS FOR Hg 1 x Cd x Te PHOTOCONDUCTORS
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    摘要:

    测量了Hg1-xCdxTe光导探测器中电阻率与温度及磁场强度的关系.在Shubnikov-deHaas(SdH)测量中,发现了表面电子的浓度在1.2~55K的范围内没有变化.一个包括体电子和两类表面电子的三带模型被用来分析电阻率随温度变化的关系,由此得到的电学参数与实验及SdH测量获得的结果非常符合

    Abstract:

    The temperature and magnetic field dependent resistivity was measured for Hg 1 x Cd x Te photoconductive detectors. The density of all kinds of surface electrons was found to keep constant from 1.2K to 55K by the Shubnikov de Haas (SdH) measurements. A three band model, which consists of two kinds of surface electrons and bulk electrons, was proposed to fit the temperature dependent resistivity. The electrical parameters obtained by this model agree well with the experimental data and the results given by SdH measurements.

    参考文献
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    引证文献
引用本文

桂永胜 蔡毅. Hg1—xCdxTe光导探测器的电学参量分析[J].红外与毫米波学报,1999,18(4):317~321]. GUI Yong Sheng ZHENG Guo Zhen ) GUO Shao Ling ) CAI Yi ) CHU Jun Hao ) TANG Ding Yuan ). THE ELECTRICAL PARAMETER ANALYSIS FOR Hg 1 x Cd x Te PHOTOCONDUCTORS[J]. J. Infrared Millim. Waves,1999,18(4):317~321.]

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