量子点的湿法腐蚀制备及尺寸分布研究
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TN304.23 O471.1

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国家自然科学基金


FABRICATION OF QUANTUM DOTS BY WET ETCHING AND STUDY OF SIZE DISTRIBUTION
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    介绍了用可见光光刻后用湿法腐蚀制备了GaAs/AlGaAs量子点的方法,并用小光点光荧光的方法检测了所制备量了点的均匀性,从理论上给出了量子点的尺寸分布,并结合多量子阱阱宽的涨落,分析了荧光峰的线型和展宽机制。

    Abstract:

    Fabrication of GaAs/AlGaAs quantum dots by wet etching was accomplished by visible light lithography. The uniformity of the size was determined by tiny spot photoluminescence. Theoretical calculation was done to simulate the size distribution and to compare with the experimental results, in which the thickness fluctuation of quantum well was considered.

    参考文献
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    引证文献
引用本文

刘兴权 万明芳.量子点的湿法腐蚀制备及尺寸分布研究[J].红外与毫米波学报,1998,17(6):401~404]. LIU Xing Quan WAN Ming Fang CHEN Xiao Shuang ZHANG Bo LU Wei SHEN Xue Chu. FABRICATION OF QUANTUM DOTS BY WET ETCHING AND STUDY OF SIZE DISTRIBUTION[J]. J. Infrared Millim. Waves,1998,17(6):401~404.]

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