Au/Sn与p—HgCdTe的欧姆接触
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TN213 O475

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OHMIC CONTACT OF Au/Sn ON p HgCdTe
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    研究了双层金属结构Au/Sn与p-HgCdTe上的接触电阻,实验测得Au/Sn与p-Hg1-xCdTe(x=0.217,0.41)的经接触电阻,ρc(295K,77K)为10^-2~10^4Ω.cm^2将这种电板接触应用于Hg1-xCdxTe(x=0.23)光伏器件,测得pn结I-V特性的正向斜率为12.6Ω即电极接触电阻小于12.6Ω。

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引用本文

胡晓宁 赵军. Au/Sn与p—HgCdTe的欧姆接触[J].红外与毫米波学报,1998,17(5):397~400]. HU Xiao Ning ZHAO Jun GONG Hai Mei FANG Jia Xiong. OHMIC CONTACT OF Au/Sn ON p HgCdTe[J]. J. Infrared Millim. Waves,1998,17(5):397~400.]

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