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InGaAsP多量子阱微盘激光器
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中图分类号:

TN248.4

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国家自然科学基金,中国科学院“九五”重大项目,中国科学院院长基金,集成光电子学国家重点联合实验室资助


InGaAsP MQW MICRODISK LASER
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    采用湿法化学腐蚀在气洙ＭＢＥＩｎＧａＡｓＰ多量子阱材料上制作了微盘型激光器，直径８μｍ的微盘激光器表现出很好的单模激射特性，阈值泵浦功率为１７０μＷ，激射线宽为１．５ｎｍ．以微腔激光器的宽激射线宽作了初步分析。

    Abstract:

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引用本文

宁永强 武胜利. InGaAsP多量子阱微盘激光器[J].红外与毫米波学报,1998,17(5):345~348]. NING Yong Qiang WU Sheng Li WANG Li Jun LIN Jiu Ling LIU Yun FU De Hui LIU Yu Mei JIN Yi Xin. InGaAsP MQW MICRODISK LASER[J]. J. Infrared Millim. Waves,1998,17(5):345~348.]

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