TN214
国家自然科学基金
利用定量迁移率谱技术，通过对霍尔系数和电阻率与磁场强度的关系，获得了ｎ－ＨｇＣｄＴｅ光导器件表面积累层中子带电子的浓度和迁移率，结果与Ｓｈｕｂｎｉｋｏｖ－ｄｅＨａｓｓ实验和理论计算的结果非常吻合．
桂永胜 蔡毅. n—HgCdTe表面积累层的定量迁移率谱研究[J].红外与毫米波学报,1998,17(3):182~186]. GUI Yong-sheng, ZHENG Guo-zhen, CAI Yi, CHU Jun-Hao. QUANTITATIVE MOBILITY SPECTRUM ANALYSIS OF n-HgCdTe ACCUMULATED LAYERS[J]. J. Infrared Millim. Waves,1998,17(3):182~186.]