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首页 > 过刊浏览>1997年第16卷第6期 >413-417
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Er,O离子共注入GaAs的二次离子质谱的研究
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TN304.23 O482.31

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国家自然科学基金,北京大学稀土材料化学应用国家重点实验室基金


SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY OF ERBIUM AND OXYGEN CO IMPLANTED IN GaAs
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    在Ⅲ－Ⅴ族半导体ＧａＡｓ外延层上共注入Ｅｒ和Ｏ离子（ＧａＡｓ：Ｅｒ，Ｏ）．经面对面优化退火后，光致发光（ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ－ＰＬ）谱中观测到对应Ｅｒ３＋第一激发态到基态４Ｉ１３／２－４Ｉ１５／２跃迁，其相对强度较单注入Ｅｒ的ＧａＡｓ（ＧａＡｓ：Ｅｒ）增强１０倍，且谱线变窄．从二次离子质谱（ＳｅｃｏｎｄａｒｙＩｏｎＭａｓＳｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ－ＳＩＭＳ）和卢瑟福背散射实验给出退火前后Ｅｒ在ＧａＡｓ：Ｅｒ样品中的剖面分布．ＳＩＭＳ测量分别给出Ｏ注入前后Ｅｒ和Ｏ在ＧａＡｓ：Ｅｒ，Ｏ中的深度剖面分布，分析表明Ｅｒ和Ｏ共注入后形成光学激活有效的发光中心．

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引用本文

陈辰嘉 周必忠. Er, O离子共注入GaAs的二次离子质谱的研究[J].红外与毫米波学报,1997,16(6):413~417]. CHEN Chen Jia LI Hai Tao WANG Xue Zhong. SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY OF ERBIUM AND OXYGEN CO IMPLANTED IN GaAs[J]. J. Infrared Millim. Waves,1997,16(6):413~417.]

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