硅中微体缺陷激光测试技术的理论与实验研究
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TN304.12 TN304.07

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THEORETCAL AND EXPERIMENTAL STUDY OF LASER DETECTING TECHNIQNE FOR MICRO BULK DEFECTS IN SILICON
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    提出了一种基于广义伦兹-米氏理论(GeneralizedLorenz&MieTheory)的硅中μm/nm级体缺陷的激光无损检测新途径,叙述了有关的理论基础,进行了系统的计算机仿真与特征提取的研究,实现了系统的模拟实验,验证了理论的正确性及方案的可行性。

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引用本文

陈军 尤政.硅中微体缺陷激光测试技术的理论与实验研究[J].红外与毫米波学报,1997,16(3):174~178]. THEORETCAL AND EXPERIMENTAL STUDY OF LASER DETECTING TECHNIQNE FOR MICRO BULK DEFECTS IN SILICON[J]. J. Infrared Millim. Waves,1997,16(3):174~178.]

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