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In0.63Ga0.37As／InP压应变量子阱的GSMBE生长及特性研究
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TN304.26 TN304.054

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863高技术基金


STUDY OF GSMBE GROWTH AND CHARACTERISTICS OF COMPRESSIVELY STRAINED In 0.63 Ga 0.37 As/InP QUANTUM WELLS
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    用ＧＳＭＢＥ方法生长出了高质量的具有不同阱宽（ｌ～１１ｎｍ）的Ｉｎ０．６３Ｇａ０．３７Ａｓ／ＩｎＰ压应变量子阱结构材料．通过双晶Ｘ射线衍射测量及计算机模拟确定了阱层中的Ｉｎ组份．对材料进行了低温光致发光谱测试，确定了压应变量子阱中的激子跃迁能量．半高宽数值表明，量子阱界面具有原子级的平整度．与７ｎｍ和９ｎｍ阱所对应的低温光致发光谱峰的半高宽为４．５ｍｅＶ．

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引用本文

王晓亮 孙殿照. In0.63Ga0.37As／InP压应变量子阱的GSMBE生长及特性研究[J].红外与毫米波学报,1997,16(1):1~6]. STUDY OF GSMBE GROWTH AND CHARACTERISTICS OF COMPRESSIVELY STRAINED In 0.63 Ga 0.37 As/InP QUANTUM WELLS[J]. J. Infrared Millim. Waves,1997,16(1):1~6.]

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