TN304.26
利用ＭＩＳ结构研究了长、中、短波碲镉汞材料，新型热蒸发ＣｄＴｅ／ＺｎＳ钝化膜界面电学特性及其与工艺条件的关系．结果表明，ＣｄＴｅ／ＺｎＳ双层膜界面电学参数依赖于界面预处理条件，在适当的工艺条件下，平带电压几乎为０，固定电荷密度为－４×１０１０ｃｍ－２，慢态密度为５．１×１０１０ｃｍ－２，界面态密度为２．７×１０－１１ｅＶ－１．ｃｍ－２．
张新昌,张勤耀,徐震,黄河. CdTe／ZnS复合钝化膜的界面电学特性研究[J].红外与毫米波学报,1996,15(6):417~422]. Zhang Xinchang Zhang Qinyao Xu Zhen. A STUDY OF INTERFACE ELECTRICAL CHARACTERISTICS FOR CdTe/ZnS PASSIVATION FILMS[J]. J. Infrared Millim. Waves,1996,15(6):417~422.]