TN213 TN304.055
用分子束外延的方法ＧａＡｓ衬底上研制了Ｐ型长波ＨｇＣｄＴｅ材料，及３２×３２小规模长波混成红外焦平面列阵，其材料的均匀性以及生长材料的参数的可重复性良好，在适当的热处理条件，材料Ｐ型电学参数达到了较高水平，并具有良好的可重复性。
王善力 张勤耀. P型长波Hg1—xCdxTe材料MBE生长技术研究[J].红外与毫米波学报,1996,15(5):333~337].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1996,15(5):333~337.]