TN215
在２００～３００Ｋ范围内测量了ｎ－ＨｇＣｄＴｅ的电学参数，并推导了载流子浓度，迁移率，电阻和组分的关系表达式，所得结果与红外光谱测量数据符合，利用ＨｇＣｄＴｅ光导器件的电阻－温度特性确定组分，不需要电阻的精确值，是一种判断器件均匀性和性能的有效方法。
桂永胜 蔡毅.高温区Hg1—xCdTe光导器件的温度—电阻关系[J].红外与毫米波学报,1996,15(4):297~302].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1996,15(4):297~302.]