+高级检索
首页 > 过刊浏览>1996年第15卷第4期 >291-296
PDF HTML阅读 XML下载 导出引用 引用提醒
GaAs／ALGaAs和InGaAs／GaAs窄量子阱中激子线宽与温度的关系
DOI:
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

O471.3 TN201

基金项目:

国家自然科学基金


TEMPERATURE DEPENDENCE OF EXCITON LINEWIDTHS IN NARROW GaAs/AlGaAs AND InGaAs/AlGaAs QUANTUM WELLS
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
    • |
  • 图/表
    • |
  • 访问统计
    • |
  • 参考文献
    • |
  • 相似文献
    • |
  • 引证文献
    • |
  • 资源附件
    • |
  • 文章评论
    摘要:

    研究了具有不同阱宽的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ和ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ窄量子阱结构中激子线宽与温度的关系，发现在低温范围内，声学声子的线性散射系统随着阱宽的减小而增加，对实验结果作了讨论。

    Abstract:

    Temperature dependence of exciton linewidths in GaAs/AlGaAs and InGaAs/AlGaAs quantum wells with very narrow well widths was investigated.The increase of the acoustic phonon linear scattering coefficient was found with decreasing well width in low temperature range.The experimental results were discussed.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

金世荣 徐仲英. GaAs／ALGaAs和InGaAs／GaAs窄量子阱中激子线宽与温度的关系[J].红外与毫米波学报,1996,15(4):291~296]. TEMPERATURE DEPENDENCE OF EXCITON LINEWIDTHS IN NARROW GaAs/AlGaAs AND InGaAs/AlGaAs QUANTUM WELLS[J]. J. Infrared Millim. Waves,1996,15(4):291~296.]

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期:
  • 出版日期:
您是第 位访问者
主管单位：中国科学院
主办单位：中国科学院上海技术物理研究所，中国光学学会
地址：上海市玉田路500号 电话：021-25051553
红外与毫米波学报 ® 2024 版权所有