TN252
分析了金属有机化合物化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）ＧａＡｓ／ＧａＡｓＡｌ／ＧａＡｓ／Ｓｉ材料结构的性能，用ＭＯＣＶＤ法地硅衬底上生长了ＧａＡｓ／ＧａＡｓＡｌ／ＧａＡｓ材料，并用这种材料制备了平面光波导样品，测定了１．３μｍ，单模激光的传输损耗小于０．６５ｄＢ／ｃｍ。
赵策洲 刘恩科.硅基GaAs／GaAlAs平面光波导的研究[J].红外与毫米波学报,1996,15(3):221~223]. Zhao Cezhou Zhu Zhuoyun Li Yaojing. INVESTIGATION OF Si BASED GaAs/GaAlAs PLANAR OPTICAL WAVEGUIDE[J]. J. Infrared Millim. Waves,1996,15(3):221~223.]