非接触式半导体少子寿命测试方法——微波反射法
DOI:
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

TN303 TN304.26

基金项目:


STUDY OF MINORITY CARRIER LIFETIME IN SEMICONDUCTORS BY CONTACTLESS MEASUREMENT METHOD:MICROWAVE REFLECTANCE TECHNIQUE
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    介绍了一种非接触式用于测量少子寿命的微波反射法,并与通常的光电导衰退法进行了比较。

    Abstract:

    A contactless method of microwave reflectance (MR) measurement for the minority carrier lifetime in semiconductors was introduced and compared with the photoconduction decay (PCD) measurement method.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

王正秋 龚海梅.非接触式半导体少子寿命测试方法——微波反射法[J].红外与毫米波学报,1996,15(1):77~80]. Wang Zhengqiu Gong Haimei Li Yanjin Zhou Baoqing Fang Jiaxiong. STUDY OF MINORITY CARRIER LIFETIME IN SEMICONDUCTORS BY CONTACTLESS MEASUREMENT METHOD:MICROWAVE REFLECTANCE TECHNIQUE[J]. J. Infrared Millim. Waves,1996,15(1):77~80.]

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期:
  • 出版日期: