砷离子注入CdTe薄膜热退火效应的共振喇曼与荧光光谱研究
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TN304.22 TN305.3

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RESONANT RAMAN AND PHOTOLUMINESCENCE STUDIES OF THE ANNEALING EFFECTS OF THE As ION IMPLANTED CdTe FILMS
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    应用共振喇曼和荧光光谱系统地研究了As离子注入CdTeMBE外延膜的热退火行为。发现随着退炎温度升高至440℃,其晶格恢复和缺陷态消除得最完整当TA高于440℃,晶格质量陡峭地下降,TA越高,越多的As占据Te位作为Te位受主,样品表现为更小的补系数和更高的空穴浓度。

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引用本文

张家明 郭世平.砷离子注入CdTe薄膜热退火效应的共振喇曼与荧光光谱研究[J].红外与毫米波学报,1996,15(1):23~28]. Zhang Jiaming Guo Shiping Yuan Shixin Shen Xuechu. RESONANT RAMAN AND PHOTOLUMINESCENCE STUDIES OF THE ANNEALING EFFECTS OF THE As ION IMPLANTED CdTe FILMS[J]. J. Infrared Millim. Waves,1996,15(1):23~28.]

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