InGaAsP单量子阱半导体微盘激光器研究
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TN248.4

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国家自然科学基金


THE STUDY ON InGaAsP SINGLE QUANTUM WELL SEMICONDUCTOR MICRODISK LASERS.
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    摘要:

    利用普通的液相外延和微加工技术成功地制备了InGaAsP单量子陆微盘激光器,并从实验上观测到远低于普遍激光器阈值条件下的单模振荡,证实了微盘激光器中微盘很强的模式选择作用,反映了微盘的微腔特征。

    Abstract:

    he InGaAsP single quantum well microdisk lasers were successfully fabricated by using the conventional liquid phase epitaxy and micro fabrication techniques for the first time.The single mode oscillation in the condition of a much lower threshoed than that of conventional laser diode was observed experimentally.It demonstrated strong mode-selection capability of the microdisk,reflecting the character of a microcavity.

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引用本文

章蓓 王若鹏. InGaAsP单量子阱半导体微盘激光器研究[J].红外与毫米波学报,1995,14(4):253~256]. Zhang Bei, Wang Ruopeng, Ding Xiaomin, Yang Zhijian, Dai Lun, Cui Xiaoming, Wang Shumin. THE STUDY ON InGaAsP SINGLE QUANTUM WELL SEMICONDUCTOR MICRODISK LASERS.[J]. J. Infrared Millim. Waves,1995,14(4):253~256.]

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