InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaAs应变层量子阱中的子带弛豫过程
DOI:
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

O471.3

基金项目:


INTERSUBBAND RELAXATION IN InGaAS/Geds AND InGaAS/AIGaAS STRAINED-LAYER QUANTUM WELLS
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    利用时间光辨光谱技术,在11 ̄90K温度范围研究了不同阱宽的InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaAs应变层量子阱子带弛豫过程,讨论了这两种量子阱材料中不同散射机制的作用。

    Abstract:

    The dynamics of the intersubband relaxation of carriers in the InGaAs/GaAs and InGaAs/AIGaAs quantum wells with different well-widths was investigated with the use of time-resolved spectroscopy in the temperature range from 11 to 90K.The different scattering mechanisms,which are dominant in the carriers relaxation processes in the quantum wells of the two systems were discussed.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

金世荣 徐仲英. InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaAs应变层量子阱中的子带弛豫过程[J].红外与毫米波学报,1995,14(3):237~240]. Jin Shirong, Luo Jinsheng, Chu Junhao. INTERSUBBAND RELAXATION IN InGaAS/Geds AND InGaAS/AIGaAS STRAINED-LAYER QUANTUM WELLS[J]. J. Infrared Millim. Waves,1995,14(3):237~240.]

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期:
  • 出版日期: