O482.31 O484.41
在１０Ｋ低温下对分子束外延（ＭＢＥ）生长的ＣｄＴｅ（１１１）Ｂ／ＧａＡｓ（１００）／ＣｄＴｅ（２１１）Ｂ／ＧａＡｓ（２１１）Ｂ外延膜进行了光致发光（ＰＬ）测量，得到了ＰＬ谱和带边激子辐射的精细结构．计算得到束缚激子的半峰宽（ＦＷＨＭ）分别为０．２～０．ｓｍｅＶ和１～２ｍｅＶ．实验结果表明外廷膜的质量和生长工艺均良好．
陈世达,许继宗. MBE CdTe／GaAs光致发光研究[J].红外与毫米波学报,1995,14(3):189~194]. Chen Shida, Lin Li, He Xianzhong. PHOTOLUMINESCENCE STUDY OF EPITAXIAL CdTe/GaAs GROWN BY MBE[J]. J. Infrared Millim. Waves,1995,14(3):189~194.]