TN304.25
报道了ＭＢＥ生长的ＣｄＴｅ／Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ：Ｉｎ调制掺杂应变层多量子阱材料的光荧光光谱，低温下观察到一个由多电子－单个空穴散射引起的很强的费密边奇异的发光现象，对应于费密边能量位置发光峰有一个很强的增加，使整个发光锋具有明显的非对称性。分析讨论了引起费密边奇异现象的物理机制，测量了７７Ｋ和ＧｄＴｅ／Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ：Ｉｎ样品的调制光谱，与荧光光谱进行比较，结果进一步支持了本文的结论。还测
姜山 张家明. CdTe／Dl1—xMnxTe：In应变层量子阱的光荧光光谱[J].红外与毫米波学报,1994,13(3):186~190].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1994,13(3):186~190.]