TN213
利用俄歇电子能谱，深能化瞬态谱，及Ｉ－Ｖ和Ｃ－Ｖ两种电学测量方法对ＰｔＳｉ－Ｎ－Ｓｉ和ＰｔＳｉ／Ｐ－Ｓｉ两种肖特基势垒的形成条件与势垒度之间的关系进行了详细研究。从理论上分析了在退火过程中引入的影响肖特基势垒特性的各种因素，同时指出了获得理想肖特基势垒的退火条件。
丁孙安 许振嘉.硅化物形成条的条件对Pt硅化物／硅势垒的影响[J].红外与毫米波学报,1993,12(5):392~396].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1993,12(5):392~396.]