TN213
评论了Ⅱ-Ⅵ族半导体HgCdTe的化学束-气源外延生长系统的设计和研制,介绍了生长HgCdTe外延层和气体源掺碘CdTe外延层的最新结果,这些结果表明了用这种技术生长用于制备先进红外探测器的优质材料的可能性.
Sun.,CJ 汪艺华.化学束—气源外延生长HgCdTe[J].红外与毫米波学报,1992,11(1):1~8]. C. J. Summers, B. K. Wagner, R. G. Benz II, D. Rajavel. CHEMICAL BEAM/GAS SOURCE EPITAXIAL GROWTH OF HgCdTe[J]. J. Infrared Millim. Waves,1992,11(1):1~8.]