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InGaAs／InGaAsP／InP长波长雪崩光电二极管研究
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TN364.2

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STUDY ON InGaAs/InGaAsP/InP SAGM AVALANCHE PHOTODIODE
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    研制了高速、高效、低噪声的InGaAs/InGaAsP/InP长波长(1.0～1.7μm)台面型雪崩光电二极管(φ=75μm),器件采用分离的吸收区、雪崩区和能隙过渡区的SAGM结构。研究了器件最佳结构参数设置、在InP上匹配生长InGaAs、InGa AsP及其厚度和载流子浓度的控制问题。器件最大倍增因子大于50,灵敏度大于0.70μA/μW,暗电流I_D的典型值约为20nA(V_r=0.9V_B)。

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引用本文

李锋 王树堂. InGaAs／InGaAsP／InP长波长雪崩光电二极管研究[J].红外与毫米波学报,1991,10(1):67~72]. LI FENS, WANG SHUTANG, ZHENG JING, FAN AIXIANG, XIA CAIHONG, SUN JIE, Hu CHUNYANG, BAI JINHUA, CHEN XINMIN. STUDY ON InGaAs/InGaAsP/InP SAGM AVALANCHE PHOTODIODE[J]. J. Infrared Millim. Waves,1991,10(1):67~72.]

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