TN304.8
研究了a-SiN_x:H中带隙态和带尾态对光电导的影响。实验结果表明:退火引起光电导响应增加,光电流谱中的肩峰在200℃退火时消失,光生载流子的复合随退火温度的变化由双分子型变为单、双分子混合型,取决于光电导的带隙随退火温度的提高而略有增加。并从光电导测量定量地给出了悬键态密度。
马玉蓉 李清山.带隙态对辉光放电a—SiNx：H光电导的作用[J].红外与毫米波学报,1991,10(1):22~26]. MA YURONG. EFFECT OF GAP STATES ON PHOTOCONDUCTIVITY OF GLOW DISCHARGED a-SiN_x:H FILMS[J]. J. Infrared Millim. Waves,1991,10(1):22~26.]