分析了可能导致Hg_(1-x)Cd_xTe P-N结反向软击穿的若干漏电机制。位于结区中的深能级和沉淀及混晶材料中的组份涨落和杂质浓度涨落等都可能产生过量隧道电流。用一些理论模型对实验数据进行了拟合和比较。对于我们的离子注入N~+-P结,P型材料的高补偿度可能是导致漏电的主要原因。
袁皓心,童斐明,汤定元. Hg_(1-x)Cd_xTe光电二极管反向漏电机制分析[J].红外与毫米波学报,1990,9(6):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1990,9(6).]