国家自然科学基金
利用杂质分凝效应制备弱P型掺Sb-HgCdTe晶体,测量了样品的电学特性、红外光谱及以掺杂样品作衬底制成的PN结的伏安特性,并与未掺杂P型HgCdTe进行了比较,结果表明用掺Sb-HgCdTe晶体可制作性能良好的光伏探测器。
王珏,黄长河,刘激呜,俞振中,汤定元.掺Sb弱P型Hg_(1-x)Cd_xTe晶体光电特性研究[J].红外与毫米波学报,1990,9(5):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1990,9(5).]