未掺杂半绝缘砷化镓中EL2能级的光电离截面谱
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    采用恒流光电导方法,在不同温度下测量了未掺杂半绝缘LEC砷化镓中EL2能级的光电离截面谱σ_n~0-hv。发现截面谱中有三个上升较快的台阶,认为它们来源于EL2能级上的电子向导带上三个极点Γ、L、X的光跃迁。σ_n~0-hv的理论计算和实验曲线符合得很好,并得出有关EL2能级的物理量即束缚能E_T、Frank-Condon移动d_(FC)和波函数扩展长度α~(-1)。

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引用本文

朱永刚,孙恒慧.未掺杂半绝缘砷化镓中EL2能级的光电离截面谱[J].红外与毫米波学报,1990,9(5):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1990,9(5).]

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