实验研究发现,采用离子束辅助沉积技术能改进膜层的性能,消除或减小膜层的应力.由实验得到:为保证锗膜具有较好的光学性能和机械性能,基底温度须加热至约150℃;对锗膜比较适合的离子束能量约为150eV;束流密度约为50μA/cm~2.
许培忠,严义埙.锗膜沉积工艺的实验研究[J].红外与毫米波学报,1989,8(5):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1989,8(5).]