用傅里叶变换光谱仪在15K和230～620cm~(-1)范围内研究了不同含Fe量的P型掺B多晶硅的远红外吸收光谱.观测和分析了Si中受主(B)基态到P_(3/2)价带相关的激发态系列的跃迁.实验结果表明,随着Fe浓度的增加,B受主激发谱的吸收强度显著减弱.证明Fe-B对的形成和Fe杂质在晶粒边界的可能的积累.实验还观测到P型Si(B)中不同含Fe量时607cm~(-1)处C局域振动模的吸收变化,讨论了Fe杂质对C振动吸收的影响.
陈辰嘉,A. Borghesi, M. Geddo, A. Stella.掺硼多晶硅的远红外光谱[J].红外与毫米波学报,1989,8(5):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1989,8(5).]