本文提出了准确测量内建电压的W(结宽)-N_(eff)~(-1/2)(有效空间电荷密度)方法;并发现偏压强烈地影响内建电压;照明不改变异质结的内建电压,而使结宽变窄.偏压为零时,测得CdS/CuInSe_2:异质结的内建电压为:1.14V(样品CIS76.1-2),0.437V(样品CIS76.1-3),0.293V(样品CIS76.1-4).
杨文库,邓文荣.异质结内建电压的研究[J].红外与毫米波学报,1989,8(2):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1989,8(2).]