硅化钯-P型硅肖特基势垒二极管的界面分析与电特性
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    对硅化钯-P型硅肖特基势垒二极管(SBD)的界面性质作了AES谱和EBIC像分析,估算了Pd_xSi_y层厚度和肖特基结的结深。在室温下由示波器响应脉冲波形估算SBD对1.06μm激光的响应时间小于1ns。从深能级瞬态电容谱仪得到的DLTS谱峰计算出样品表面空间电荷区中深能级的能级位置E_T—E_V=0.33eV,俘获截面σ_p(248K)=4.4×10~(-18)cm~2,深能级的平均杂质浓度N_T=0.085(N_A—N_D)。讨论了激光响应脉冲波形后沿变缓现象。

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引用本文

谢伯兴,林猷慎,徐晓华,张景韶,范滇元.硅化钯-P型硅肖特基势垒二极管的界面分析与电特性[J].红外与毫米波学报,1988,7(2):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1988,7(2).]

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