用深能级瞬态谱(DLTS)研究用于制备1.3～1.55μm光纤通信探测器的高镉碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe,x>0.5)混晶的深能级。观察到了一个位于禁带中央的深能级以及几个在实验器件制备过程中引入的深能级。研究表明,电容瞬态过程是非指数形式的。基于合金无序导致能级展宽,对实验曲线作了拟合,推导出禁带中央能级的展宽度。