用光热偏转光谱技术测量了不同a-Si:H层厚度的a-Si:H/a-SiN_x:H多层膜(超品格)材料的吸收光谱,求出多层膜材料的隙态密度及其随a-Si:H层厚度的变化,估算出界面态密度为～5×10~(11)cm~(-2)eV~(-1),最后估算了隙态密度的计算误差。
朱美芳.用光热偏转光谱技术测量a-Si:H/a-SiN_x:H多层膜的能隙态密度[J].红外与毫米波学报,1987,6(4):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1987,6(4).]