背景辐射对0.1eVHgCdTe光导器件性能的影响
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    对于工作于77 K的8~14μmHg_(0.80)Cd_(0.20)Te光导器件,其材料的热平衡和本征载流子浓度处于10~(14)或10~(13)cm~(-3)的数量级。当背景辐射通量φ_B大于10~(16)cm~(-2)s~(-1)时,由背景辐射所产生的载流子数目将在器件中占相当的份额,成为不可忽视的因素。因此,在讨论此器

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引用本文

黄建新,方家熊.背景辐射对0.1eVHgCdTe光导器件性能的影响[J].红外与毫米波学报,1986,5(5):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1986,5(5).]

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