Hg_(1-x)Cd_xTeN~+P栅控二极管实验研究
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    Hg_(1-x)Cd_xTe光电二极管在低温下受到表面漏电的限制,目前对表面漏电机构的认识还很少。利用栅控二极管从外部改变PN结附近的表面势可以消除表面漏电,并为研究表面电流机构提供有效手段。本文报道我们在Hg_(1-x)Cd_xTe栅控二极管上得到的一些实验结

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引用本文

袁皓心,童斐明,汤定元. Hg_(1-x)Cd_xTeN~+P栅控二极管实验研究[J].红外与毫米波学报,1986,5(5):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1986,5(5).]

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