高压回流法生长碲镉汞晶体
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    HgCdTe的汞蒸汽压很高,使材料的制备与结晶过程的研究变得十分困难.采用高压回流的工艺生长HgCdTe晶体,可使整个长晶过程在一个开口的石英管内进行,汞的压力可严格地进行控制,从而避兔了闭管工艺所存在的一系列问题。高压回流的工作原理与扩散泵一样,当碲镉汞材料化合时,熔料内的汞元素被蒸发,在炉腔内高压惰性气体与陡峭的

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引用本文

金刚,俞振中,陈新强,沈寿珍.高压回流法生长碲镉汞晶体[J].红外与毫米波学报,1986,5(5):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1986,5(5).]

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