半熔再结晶法可由低x值的起始试料生长出高x值的Hg_(1-x)Cd_xTe,而其生长温度和Hg蒸汽压远比生长晶体所对应的熔点及其平衡耳g蒸汽压低得多。其生长驱动力是固体和半熔体之间因平均组分和温度不同而存在的化学势差。在熔体和半熔体中没有添加料补充的质量保守系统中,生长着的高组分材料不断将熔体和半熔体的CdTe耗尽,当生长界面的
沈杰,陈建中,马可军,余中和.用淬火固态再结晶法半熔再结晶法和布里奇曼法组合生长Hg_(1-x)Cd_xTe单晶[J].红外与毫米波学报,1986,5(5):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1986,5(5).]