研究了等离子体工艺参数对射频辉光放电沉积的a-Si:H膜中氢的键合状态的影响及氢在退火时的释放机理。结果表明:可以通过不同的制备条件(特別是等离子体压力)控制a-Si:H膜中氢的键合状态。提出了以空间氢聚团模型解释在a-Si:H膜的退火过程中氢的释放机理。
王澄,何克伦,程如光,祁明维.等离子体工艺参数对非晶硅氢合金中氢的键合性质的影响及氢的释放机理[J].红外与毫米波学报,1985,4(6):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1985,4(6).]