中国科学院自然科学基金
反常光生伏打效应(APVE)是指均匀铁电晶体在光照下出现的稳态短路电流与开路电压。它与半导体中的光生伏打效应不同,一方面表现在数值非常之大,例如开路电压可以达到10~3～10~4V,远远超过禁带宽度,另一方面它是在均匀晶体均匀光照条件下的体效应。反常光生伏打效应的研究,涉及到晶体中一种新的输运过程。比较自然的想法是认为
张齐年,华保盈,王庆生,陈建新.掺铁铌酸锂反常光生伏打效应的研究[J].红外与毫米波学报,1984,3(4):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1984,3(4).]