半绝缘GaAs单晶是制备多种半导体器件的衬底材料,在外延生长等工艺条件下受热后往往产生一低阻表面层,伴随着电阻率变化还会有表面导电类型的转变和光致发光谱的变化。这些性质被称为“热转换”。在有“热转换”的衬底上制作的器件性能大大下降。因而研究转变的原因并有效地消除这种“热转换”是有重要意义的。顺磁共振、变温霍尔系数测量、光致发光测量及二次离子质谱分析等都是研究的手段。