研究了碲镉汞MOS积垒层的二维电子气特性。在垂直磁场下研究了积垒层的磁阻振荡效应。实验表明在磁场大于0.5T时即可观察到明显的自旋分裂现象。在碲镉汞MOS界面的窄势阱中存在着多个子能级(电子在x、y方向的运动是自由的,而在z方向则只能占据分立的能级,即所谓的子能级)。在这些子能级中电子的密度随栅电压的变化而变化。碲镉汞材料由于具有小能隙、小的电子有效质量和大的g因子而有其特