通常由饱和区的霍耳系数和电阻率计算P型HgCdTe样品的空穴浓度和迁移率: R=3π/8·1/ep, (1) σ=peμ_(ho) (2)对在液氮温度下工作的元件来说,77K的电学参数是很重要的。但是,在这一温度,有的样品还没有达到饱和,而是处于混合导电区,公式(1)、(2)不适用。弱场下的霍耳系数用R_0表示,零磁场下的电导率用σ表示,由一般的霍耳与电阻率测量,有