中国科学院(83)科基金准字第430号资助
本文从实验和理论两方面研究了N_2O分子差频带ν_3-ν_1中各不同振转谱线的压力位移。谱线压力位移比谱线半宽度小二至三个量级。用半经典Anderson-Tsao-Curnutte理论计算N_2O分子时,发现对于线性分子的N_2O,其一阶位移为零,人们想当然地认为二阶结果一定比一阶结果小,因此N_2O分子的位移量一直无人研究。事实上N_2O位移量是存在的,它的A.T.C.二阶结果并不为零。根据A.T.C.理论,二阶位移由下式决定:
虞海平,沈珊雄,郑一善. N_2O分子10μm波段谱线的位移[J].红外与毫米波学报,1984,3(4):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1984,3(4).]