本工作采用电解液电调制反射(EER)谱技术,对N型硅外延片进行了研究,不仅测得了E′_0峰,还成功地测得了E′_1峰和E_2峰。同时,在直流偏压、交流调制电压、调制频率及溶液浓度等方面对半导体-电解液接触层的形成及性质作了初步的探讨。采用传统的EER谱的实验装置,所不同的是将卤钨灯作为光源,并把二极管作为光电倍增管的负载,以获得ΔR/R的比值,这就省去了复杂的氙灯电源及伺服系统。