在10.6μm上硅单晶吸收系数与电阻率的关系
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    本文目的是确定半导体硅吸收系数α与电阻率ρ的关系,并以相应曲线作为校正曲线,用于硅的电阻率、杂质浓度及其分布的测定。我们用10.6μm CO_2激光测量硅样品的透射率T,由公式T=(1-R)~2e~(-αz)/1-R~2e~(-2αz)求得吸收系数α,通过定标曲线α-ρ确定硅单晶的电阻率ρ_0样品两面切成平行平面,研磨后抛光成光学平面。在本实验装置中10.6μm激光束适当地

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引用本文

赵有源,吴仲墀,高如芳,钱佑华.在10.6μm上硅单晶吸收系数与电阻率的关系[J].红外与毫米波学报,1984,3(4):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1984,3(4).]

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