研究半导体的磁-光致发光,也就是说,测量光致发光的塞曼效应,是获得有关杂质或结构点缺陷的对称性、电荷状态等信息的有效手段之一。我们研究了掺铜的砷化镓、掺锌和铜的砷化镓、经高能电子辐照及退火的砷化镓液相外延层以及碲化锌等Ⅲ-Ⅴ族及Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的磁-光致发光。测量通常是在低于液氦Lambda点温度下和高至10T的超导磁体或至20T的电阻强磁体中进行的。