随着电光、声光晶体器件的应用,以及对晶体完整性和残余应力的检测和研究,促使对晶体弹光性研究的发展。我们对有重要意义的m3m,(?)3m,432对称立方晶体(如透红外的硅、锗等)压光系数进行研究。国内外有关文献仅给出某些特殊方向施加单向应力的弹光方程和压光系数。我们采用张量的矩阵理论,找出常用来制作晶体器件的(111),(100),