本文采用高频感应氧等离子体阳极氧化的方法在硅表面上生长一层SiO_2膜,并用IR-450S型红外分光光度计测量了室温下氧等离子体阳极氧化SiO_2膜的红外吸收光谱。实验表明,在2.5～50μm波段内,该薄膜靠近9.26μm、12.42μm和21.98μm处各有一个红外吸收带。
刘春荣,汪光纯.氧等离子体阳极氧化SiO_2膜的红外吸收带[J].红外与毫米波学报,1984,3(2):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1984,3(2).]