非抛物型能带半导体Hg_(1-x)Cd_xTe的本征载流子浓度
DOI:
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

基金项目:


Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    本文利用Kane的非抛物型能带模型及费密-狄拉克统计推得Hg_(1-x)Cd_xTe的本征载流子浓度公式为n_i=(1 3.25KT/Eg)9.56(10~(14))E_g~(3/2)T~(3/2) [1 1.9E_g~(3/4)exp(Eg/2kT)]~(-1), 该式适用于x=0.17~0.37,T≤300K范围,式中Eg(eV)=-0.295 1.87x-0.28x~2 (6-14x 3x~2)(10~(-4))T 0.35x~4。本文还测量了不同组份Hg_(1-x)CdxTe样品(x=0.19~0.251)在77K~300K温度范围的本征载流子浓度。将上述公式的计算结果与本文实验结果及其他作者实验结果相比较表明,该式在x=0.19~0.29,T=77~300K范围与实验符合很好。

    Abstract:

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

褚君浩,王戎兴,汤定元.非抛物型能带半导体Hg_(1-x)Cd_xTe的本征载流子浓度[J].红外与毫米波学报,1983,2(4):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1983,2(4).]

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期:
  • 出版日期: