本文用我们曾导出的探测率D_λ~*公式计算了表面复合对HgCdTe光导器件的影响。计算结果表明:对77K、8～14μm和300K、3～5μmHgCdTe光导器件,表面复合速度应降到10~3cm/s以下,否则,D_λ~*将明显下降。随表面复合速度的增加,D_λ~*下降,而最佳厚度增大。本文计算得到了这三者之间的关系。